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一種用于基板干燥的流體供給裝置和基板干燥設備制造方法及圖紙

技術編號:22503577 閱讀:5 留言:0更新日期:2019-11-09 03:02
本發明專利技術涉及化學機械拋光后處理技術領域,公開了一種用于基板干燥的流體供給裝置和基板干燥設備,其中,流體供給裝置包括存儲主體、第一管路和第二管路,第一管路和第二管路分別與存儲主體連通,第一管路和第二管路在存儲主體外部通過加熱管路連通;第一管路用于供給第一流體,第一流體的一部分流至存儲主體內,第一流體的另一部分分流至加熱管路加熱后匯入第二管路并在第二管路中與存儲主體內壓出的第二流體混合后得以輸出。提高了基板干燥的效果。

A fluid supply device and a substrate drying device for substrate drying

The invention relates to the field of chemical mechanical polishing post-treatment technology, and discloses a fluid supply device and a substrate drying device for substrate drying, wherein the fluid supply device includes a storage body, a first pipeline and a second pipeline, wherein the first pipeline and the second pipeline are respectively connected with the storage body, the first pipeline and the second pipeline are connected with the storage body through a heating pipeline outside the storage body; and A pipeline is used to supply the first fluid. One part of the first fluid flows into the storage body, and the other part of the first fluid is divided into a heating pipeline and then flows into the second pipeline after being heated and mixed with the second fluid extruded from the storage body in the second pipeline before being output. The drying effect of substrate is improved.

【技術實現步驟摘要】
一種用于基板干燥的流體供給裝置和基板干燥設備
本專利技術涉及化學機械拋光后處理
,尤其涉及一種用于基板干燥的流體供給裝置和基板干燥設備。
技術介紹
化學機械拋光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)是集成電路制造中獲得全局平坦化的一種超精密表面加工工藝。由于化學機械拋光中大量使用的化學試劑和研磨劑會造成基板表面的污染,所以在拋光之后需要引入后處理工藝以去除基板表面的污染物,后處理工藝一般由清洗和干燥組成,以提供光滑潔凈的基板表面。拋光后清洗的目的是去除基板表面顆粒和各種化學物質,并在清洗過程中避免對表面和內部結構的腐蝕和破壞,拋光后清洗有濕法和干法之分,濕法清洗就是在溶液環境下清洗,比如清洗劑浸泡、機械擦洗、濕法化學清洗等。基板經過清洗后,基板表面會留存很多水或清洗液的殘留物。由于這些水或清洗液的殘留物中溶有雜質,如果讓這些殘留液體自行蒸發干燥,這些雜質就會重新粘結到基板的表面上,造成污染,甚至破壞晶片的結構。為此,需要對基板表面進行干燥處理,以除去這些殘留液體。基板干燥作為后處理的最后一道工藝,對保證基板表面質量和加工成品率起著至關重要的作用。業內普遍使用的干燥技術是異丙醇(IPA,Iso-PropylAlcohol)蒸氣干燥,其利用異丙醇蒸氣對水產生的表面張力梯度,促使基板表面吸附的水膜剝離,但是由于異丙醇容易重新凝結造成二次污染,導致干燥效果不佳的問題。
技術實現思路
本專利技術實施例提供了一種用于基板干燥的流體供給裝置和基板干燥設備,旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。本專利技術實施例的第一方面提供了一種用于基板干燥的流體供給裝置,包括存儲主體、第一管路和第二管路,第一管路和第二管路分別與存儲主體連通,第一管路和第二管路在存儲主體外部通過加熱管路連通;第一管路用于供給第一流體,第一流體的一部分流至存儲主體內,第一流體的另一部分分流至加熱管路加熱后匯入第二管路并在第二管路中與存儲主體內壓出的第二流體混合后得以輸出。在一個實施例中,第一流體為氮氣。在一個實施例中,第二流體為異丙醇。在一個實施例中,加熱管路上設有加熱部,加熱部包括加熱模塊與溫控模塊,加熱模塊與溫控模塊連接。在一個實施例中,第二管路的輸出端設有與溫控模塊連接的溫度檢測模塊,溫度檢測模塊測量第一流體與第二流體的混合流體的溫度并將該溫度反饋至溫控模塊,以使溫控模塊控制加熱模塊的加熱溫度以將混合流體穩定在預設溫度范圍。在一個實施例中,第二管路上設有管道保溫結構。在一個實施例中,第二管路上設有霧化模塊,霧化模塊將第一流體和第二流體混合并霧化。在一個實施例中,流體供給裝置還包括泄壓管路,泄壓管路用于從存儲主體內排出氣體。在一個實施例中,流體供給裝置還包括第三管路,第三管路氣密連接于壓力檢測部。在一個實施例中,流體供給裝置還包括第四管路,第四管路氣密連接于液位檢測部。本專利技術實施例的第二方面提供了一種基板干燥設備,包括基板保持裝置和如上所述的流體供給裝置,基板保持裝置固定清洗后的基板,并通過流體供給裝置向基板噴射第一流體與第二流體的混合流體以干燥基板。本專利技術的有益效果包括:提高了基板干燥的效果。附圖說明通過結合以下附圖所作的詳細描述,本專利技術的優點將變得更清楚和更容易理解,但這些附圖只是示意性的,并不限制本專利技術的保護范圍,其中:圖1為本專利技術一實施例提供的流體供給裝置的結構示意圖;圖2為本專利技術另一實施例提供的流體供給裝置的結構示意圖;附圖標記說明:10、存儲主體;20、第一管路;PV1、第一閥門;PV2、第二閥門;30、第二管路;PV4、第四閥門;MFC2、第二質量流量控制器;33、霧化模塊;34、管道保溫結構;PV5、第五閥門;35、溫度檢測模塊;40、加熱管路;PV3、第三閥門;MFC1、第一質量流量控制器;41、加熱模塊;42、溫控模塊;60、第三管路;61、壓力檢測部;50、第四管路;51、液位檢測部。具體實施方式下面結合具體實施例及其附圖,對本專利技術所述技術方案進行詳細說明。在此記載的實施例為本專利技術的特定的具體實施方式,用于說明本專利技術的構思;這些說明均是解釋性和示例性的,不應理解為對本專利技術實施方式及本專利技術保護范圍的限制。除在此記載的實施例外,本領域技術人員還能夠基于本申請權利要求書及其說明書所公開的內容采用顯而易見的其它技術方案,這些技術方案包括采用對在此記載的實施例的做出任何顯而易見的替換和修改的技術方案。應當理解的是,除非特別予以說明,為了便于理解,以下對本專利技術具體實施方式的描述都是建立在相關設備、裝置、部件等處于原始靜止的未給與外界控制信號和驅動力的自然狀態下描述的。本專利技術實施例提供的一種用于基板干燥的流體供給裝置,應用于基板后處理中的干燥工藝,作為干燥對象的基板包括半導體晶片、光掩膜用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子顯示用玻璃基板、光盤用基板等。如圖1所示,本專利技術一實施例提供了一種用于基板干燥的流體供給裝置,包括存儲主體10、第一管路20和第二管路30,第一管路20和第二管路30分別與存儲主體10連通,第一管路20和第二管路30在存儲主體10外部通過加熱管路40連通;第一管路20用于供給第一流體,第一流體的一部分流至存儲主體10內,第一流體的另一部分分流至加熱管路40加熱后匯入第二管路30并在第二管路30中與存儲主體10內壓出的第二流體混合后得以輸出。其中,第一管路20和第二管路30分別與存儲主體10氣密連通,第一管路20和第二管路30之間通過加熱管路40氣密連通。第一流體經加熱后與第二流體混合得到混合流體,具體為混合氣體。在一個實施例中,存儲主體10具有分別與第一管路20和第二管路30氣密連接的第一連接口和第二連接口。第一管路20和第二管路30之間連接有加熱管路40。第一流體從第一管路20的輸入端進入第一管路20,然后第一流體可通過第一管路20與存儲主體10之間的第一連接口進入存儲主體10,第一流體還可以通過第一管路20與加熱管路40之間的連接口進入加熱管路40進而經過加熱管路40的加熱得到加熱后的第一流體,加熱后的第一流體可通過加熱管路40與第二管路30之間的連接口進入第二管路30從而與第二管路30中的第二流體混合得到加熱的混合氣體。第一管路20向存儲主體10內通入第一流體以增加存儲主體10內的壓力,從而使存儲主體10內貯存的第二流體在該壓力作用下通過第二管路30排出。在一個實施例中,第一流體為氮氣,第二流體為異丙醇。在常溫下,存儲主體10中貯存的第二流體為異丙醇液體。第一管路20向存儲主體10內通入氮氣。第一管路20位于存儲主體10內的底端高于存儲主體10內液體的分界面。在第一管路20經由第一連接口l向存儲主體10內加入氮氣時,存儲主體10內的氣壓升高,以將異丙醇液體壓出從而執行基板干燥工藝。第二管路30用于流通從存儲主體10內排出的異丙醇液體,第二管路30位于存儲主體10內的底端靠近存儲主體10的內底面,以在常態下使第二管路30的底端低于存儲主體10內的液面,從而有利于異丙醇液體壓入第二管路30并排出。本實施例中,氮氣通入第一管路20,然后進入存儲主體10并將異丙醇液體壓出至第二管路30,同時氮氣流入加熱管路40進行加熱,加熱后的氮氣在第二管路30中與異丙醇混合得到加熱的混合氣體本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種用于基板干燥的流體供給裝置,包括存儲主體、第一管路和第二管路,所述第一管路和所述第二管路分別與所述存儲主體連通,并且所述第一管路和所述第二管路在所述存儲主體外部通過加熱管路連通;所述第一管路用于供給第一流體,所述第一流體的一部分流至所述存儲主體內,所述第一流體的另一部分分流至所述加熱管路加熱后匯入所述第二管路并在所述第二管路中與所述存儲主體內壓出的第二流體混合后得以輸出。

【技術特征摘要】
1.一種用于基板干燥的流體供給裝置,包括存儲主體、第一管路和第二管路,所述第一管路和所述第二管路分別與所述存儲主體連通,并且所述第一管路和所述第二管路在所述存儲主體外部通過加熱管路連通;所述第一管路用于供給第一流體,所述第一流體的一部分流至所述存儲主體內,所述第一流體的另一部分分流至所述加熱管路加熱后匯入所述第二管路并在所述第二管路中與所述存儲主體內壓出的第二流體混合后得以輸出。2.如權利要求1所述的流體供給裝置,其特征在于,所述第一流體為氮氣。3.如權利要求1所述的流體供給裝置,其特征在于,所述第二流體為異丙醇。4.如權利要求1所述的流體供給裝置,其特征在于,所述加熱管路上設有加熱部,所述加熱部包括加熱模塊與溫控模塊,所述加熱模塊與所述溫控模塊連接。5.如權利要求4所述的流體供給裝置,其特征在于,所述第二管路的輸出端設有與所述溫控模塊連接的溫度檢測模塊,所述溫度檢測模塊測量所述第一流體與所述第二流體的混合流體的溫度...

【專利技術屬性】
技術研發人員:李長坤趙德文路新春
申請(專利權)人:清華大學
類型:發明
國別省市:北京,11

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